CIRCUITO INTEGRADO TPC8125 MOSFET 10A 30V PCH EFECTO CAMPO SOP8

MOSFET (transistor de efecto de campo semiconductor de óxido metálico) de canal P fabricado por Toshiba. Es un dispositivo semiconductor discreto utilizado comúnmente como interruptor en circuitos electrónicos. Es un transistor de modo de mejora , lo que significa que tiene un voltaje de puerta a fuente negativo (En
GS
?
) es necesario para encenderlo y permitir que la corriente fluya desde el drenaje hasta la fuente.

Especificaciones clave
El TPC8125 es un componente de montaje en superficie alojado en un paquete SOP de 8 pines.A continuación se muestran algunas de sus características eléctricas clave:

Voltaje de drenaje-fuente (En
D SS
?
) : -30 V

Corriente de drenaje continua (I
D
?
) : -10 A

Resistencia de encendido de la fuente de drenaje (R
D S ( ENCENDIDO )
?
) : 10 m$Omega$ (típico) enEn
GS
?
=? 10 V

Voltaje de umbral de puerta (En
el?
?
) : -0,8 a -2,0 V

Disipación de potencia (PAG
D
?
) : 1,9 W

Cargo por entrada (Q
gramo
?
) : 64 nC (típico) aEn
GS
?
=? 10 V