TRANSISTOR FQP5N60 MOSFET 5A 600V NCH TO220
₡1.800
| Inventario | Disponible |
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Hay existencias
FQP5N60C Detalles de producto
Descripción general:
Estos transistores de efecto de campo de potencia con modo de mejora de canal N se fabrican con la tecnología DMOS de banda planar patentada de Fairchild. Esta avanzada tecnología ha sido especialmente diseñada para minimizar la resistencia en estado activo, proporcionar un rendimiento de conmutación superior y soportar pulsos de alta energía en modo de avalancha y conmutación. Estos dispositivos son ideales para fuentes de alimentación conmutadas de alta eficiencia, corrección activa del factor de potencia y balastos electrónicos para lámparas basados en topología de medio puente.
Características
? 4,5 A, 600 V, RDS (on) = 2,5 ? a VGS = 10 V
? Carga de compuerta baja (típicamente 15 nC)
? Baja (típicamente 6,5 pF)
? Conmutación rápida
? 100 % probado contra avalanchas
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