TRANSISTOR FQPF8N80C MOSFET 8A 800V NCH TO220
₡2.700
| Inventario | Disponible |
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FQPF8N80C MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: FQPF8N80C
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia: 59 W
Voltaje máximo drenador – fuente: 800 V
Voltaje máximo fuente – puerta: 30 V
Corriente continua de drenaje: 8 A
Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICA- Tensión umbral entre puerta y fuente: 5 V
Carga de la puerta: 35 nC
Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.55 Ohm
Cubierta: TO220F
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