Número de Parte: HY3215P
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia: 300 W
Voltaje máximo drenador – fuente: 150 V
Voltaje máximo fuente – puerta: 25 V
Corriente continua de drenaje: 120 A
Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente: 5 V
Carga de la puerta: 137 nC
Tiempo de subida: 39 nS
Capacitancia de salida: 548 pF
Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.015 Ohm
Cubierta: TO220
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