Principales Características:
Tipo de Encapsulado: TO-220
Transistor equivalente a NTE2996
Transistor Mosfet Canal N
Voltaje Drain – Source (VDSS): 60V
Voltaje Drain – Gate (VDGR): 60V
Voltaje Gate – Source (VGS): ± 20V
Corriente Drain (ID): 84A
Corriente Pulsada en Drain (IDM): 330A
Resistencia de Conducción (RDS): 0.012 ?
Potencia Máxima Disipada (PD): 200W
Hoja Técnica IRF1010E
Recibí tu pedido donde lo necesitás
Elegí entre mensajería dentro de la GAM, envío mediante Correos de Costa Rica o retiro en cualquiera de nuestras dos sucursales.
Importante: los tiempos de entrega son estimados y pueden variar por ubicación, horario, clima, alta demanda o situaciones propias del transportista.
¿Necesitás ayuda con la entrega?
Si tenés dudas sobre la entrega o el retiro, nuestro equipo puede orientarte.
Consultar por WhatsApp Rastrear envío Ver sucursales y horarios

Valoraciones
No hay valoraciones aún.