TRANSISTOR IRF640NS IRF640S MOSFET 18A 200V NCH TO263 SMD
₡2.400
| Inventario | Disponible |
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ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia: 130 W
Ve máximo fuente – puerta: 20 Temperatura máxima de unión: 150 CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral etre puerta y fuente: 4 V
Carga de la puerta: 70(max) nC
Tiempo de subida: 51 nS
Capacitancia de salida: 430 pF
Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.18 Ohm
Cubierta: TO263
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